下巴比iPhone 13 Pro更窄的高端旗舰 真我GT2大师探索版降临：正面震撼

此前真我官方公布，真我GT2大师探索版将于7月12日正式发布，近日也开始逐渐放出与新机相关的物料。

官方将这款机型称为“年度质感旗舰”，号称是“工业设计的天花板”。随着新机发布时间的日益临近，网上关于这款机型的爆料也更加密集。

根据官网的信息，真我GT2大师探索版将搭载高通骁龙8+处理器，采用了6.7英寸的中置挖孔柔性屏，屏占比将达到94.2%，支持最高120Hz的高刷和DC调光，并将具备全局暗色模式，影像由一颗5000万像素主摄以及一颗5000万像素超广角摄像头和一颗200万像素微距组成。

由于高通骁龙8的糟糕表现，以及能耗比令人失望和更高的温度，都让骁龙8这颗芯片饱受争议。为了一雪前耻，高通也是提前释出了高通骁龙8+这颗芯片。

除了主频上的提升外，还将这颗芯片的代工工作交给了台积电，并且是基于台积电的4nm工艺制程打造，据说在性能提升的同时将带来更好的温度表现。

但是真我觉得这还不够，在真我GT2大师探索版中采用了三明治立体双VC结构的散热系统，VC面积达到了4811平方毫米，直接将专业游戏手机上的配置搬到了旗舰机上。同时还将全球首发LPDDR5X内存，传输速率从LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps。

真我GT2大师探索版的机身采用了金属中框设计，重量仅为195g，同时内置5000mAh大容量电池，并首次在手机端引入了氮化镓器件，实现了全链路GaN百瓦秒充，充至100%仅需25分钟。搭配100W的氮化镓的充电头，官方宣称可将发热峰值降低85%左右。

根据知名爆料博主在社交平台晒出的最新真我GT2大师探索版和iPhone 13 Pro的对比照片看出，全新的真我GT2大师探索版将采用COP封装工艺，直接将屏幕的一部分弯折然后封装。

此举极大地缩减了下边框的宽度，让边框宽度仅为2.37mm，比iPhone 13 Pro更窄，正面效果极为震撼。海外网友看到照片后给出评论“安卓领先iPhone5年”。

结合此前的爆料，真我GT2大师探索版将采用环保素皮设计，将给用户带来极其细腻的握持手感。并且配以金属铆钉装饰，配合硬箱造型的直角金属中框，真机散发着一种优雅的气质。

从工业设计上来说，真我GT2大师探索版已经做到了领先同行的水准，如果真如传言中
   

下代至强处理器冲64核、350W Intel联合GRC开发CPU液冷散热技术

随着性能的增强，CPU处理器的散热也是个大问题了，AMD及Intel下代服务器处理器TDP会增长到W级别，风冷已经跟不上了，Intel日前宣布与GRC公司联合开发液冷散热技术。

GRC(绿色革命冷却)是一家专业从事数据中心散热技术的公司，日前该公司与Intel达成了多年的合作协议，会共同开发更先进的沉入式冷却技术，不仅会验证技术的安全性及可靠性，还重点提到了为Intel至强处理器提供沉入式冷却技术的优化。

所谓浸入式冷却，实际上就是液冷散热，高端DIY玩家用的水冷也是液冷散热中的一种，不过数据中心市场使用的冷却液不是常见的水，而是一种独特的化合物，每家公司的配方还不一样。

3M公司使用的是电子氟化液，具有非常高的介电强度和优异的材料相容性，还要具备透明、无味、不可燃、非油基、低毒性、无腐蚀性、运行温度范围广、热稳定性和化学稳定性高等优点，比纯水要求高得多。

Intel没有透露这种液冷散热技术会用于哪些处理器，不过今年上半年要上市的、代号Sapphire Rapids的新一代至强处理器有望用上这种散热技术，这一代处理器不仅升级Intel 7工艺及12代酷睿同款Golden Cove核心架构，同时核心数最多提升到64核，但实际只启用56核112线程。

其他方面，Sapphire Rapids支持最多80条PCIe 5.0，支持八通道DDR5-4800内存，可选集成HBM2e高带宽内存，最多64GB，并支持下一代傲腾持久内存。

功耗也相当惊人，TDP上限从270W。